# 运算放大器——噪声说明 > 基于TI《运算放大器电路固有噪声的分析与测量》的分析与理解 运算放大器噪声一般来源于电源噪声、器件噪声、辐射噪声和应力噪声。 对于电源噪声,可以使用PSRR来分析。器件噪声则是运放自身噪声。辐射噪声为外部空间辐射噪声。应力噪声为机械运动造成的扰动。 运放受到的辐射噪声影响往往是串扰,空气中的辐射噪声衰减的很快且需要良好的耦合(天线效应)来接收。串扰一般是高频信号源或脉冲信号源与运放很近,导致信号与运放管脚耦合,引入了干扰。这种情况需要在布板的过程去避免。 应力噪声来自机械振动,造成器件或者管脚的振动,一般情况下不考虑(汽车、航空类需要注意)。 故运放的噪声主要来自电源、器件和运放本身。 根据TI的《OP AMP PERFORMANCE ANALYSIS》[^1]关于直流误差的分析。 ![](https://mythidea.oss-cn-beijing.aliyuncs.com/image-20220717010313765.png) 可知运放的等效输入误差为: ![运放噪声分析——输入误差公式](https://mythidea.oss-cn-beijing.aliyuncs.com/%E8%BF%90%E6%94%BE%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%88%86%E6%9E%90%E2%80%94%E2%80%94%E8%BE%93%E5%85%A5%E8%AF%AF%E5%B7%AE%E5%85%AC%E5%BC%8F.png) - Vos:运放自身输入失调电压。 - IB+、IB-:运放自身输入同相/反相端偏置电流。 - Rs+、Rs-:输入同相/反相端等效阻抗,即输入端看过去的阻抗。其值为信号源电阻+输入电阻,再与反馈电阻并联得到等效阻抗。分析时可以将输出接地,信号源短路接地,使用偏置电流作为电源。 - enoise:系统等效输入噪声。为运放+外部电阻的等效噪声,包括运放的电压噪声、电流噪声乘以电阻、电阻热噪声。 - Vout/Aol:运放开环增益造成的误差[^2]。 - Vcm/CMRR:运放共模电压引起的失调电压。 - ΔVcc/PSRR:运放供电电源纹波或者跳变引起的失调电压。 首先对噪声进行详细说明,然后仿真分析,最后示例分析总体误差。 ## 运放噪声 ### 电阻热噪声 **约翰逊–奈奎斯特噪声**(英语:Johnson–Nyquist noise,也称作**热噪声**, **约翰逊噪声**,或**奈奎斯特噪声**)是由于热搅动导致导体内部的电荷载体(通常是电子)达到平衡状态时的电子噪声,与所施加电压无关。一般用统计物理推导该噪声被称作波动耗散定理,这里用广义阻抗或广义极化率来表征该介质。 一个理想电阻器的热噪声接近白噪声,也就是功率谱密度在整个频谱范围内几乎是不间断的(然而在极高频时并不如此)。 当限定为有限带宽时,热噪声近似高斯分布[^3]。 热噪声的**有效值**计算公式如下所示。 ![运放噪声分析——电阻热噪声公式](https://mythidea.oss-cn-beijing.aliyuncs.com/%E8%BF%90%E6%94%BE%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%88%86%E6%9E%90%E2%80%94%E2%80%94%E7%94%B5%E9%98%BB%E7%83%AD%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%85%AC%E5%BC%8F.png) - k:Boltzmann constan玻尔兹曼常数,1.38e-23 J/°K(焦耳每开尔文Kelvin)。 - T:绝对温度,单位为开尔文°K。T(开尔文)=273.15°C+T(摄氏度)。 - R:阻值,Ω。 - Δf:噪声带宽,Hz。 由于电阻热噪声为高斯分布,如下所示。 ![运放噪声分析——电阻热噪声分布](https://mythidea.oss-cn-beijing.aliyuncs.com/%E8%BF%90%E6%94%BE%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%88%86%E6%9E%90%E2%80%94%E2%80%94%E7%94%B5%E9%98%BB%E7%83%AD%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%88%86%E5%B8%83.png) 热噪声的平均值(期望值)μ为0(以x轴的x=0两边对称)。 高斯函数的y轴可以理解为x轴的统计,x轴为热噪声分布。在-3σ-3σ的分布区域中,统计到99.7%的热噪声。由于电阻不存在DC直流源,故标准偏差与有效值相等,即σ=e_rn_oise。电阻热噪声的峰峰值为-3σ~3σ,则e_rn_oise_pp=6σ=6er_n,即热噪声的峰峰值为有效值的6倍,有时使用6.6倍。 常用噪声频谱密度来衡量噪声特性,有电压噪声频谱密度和电流噪声匹配密度,单位分别是V/√Hz和A/√Hz。 电阻的电压噪声频谱密度为: ![运放噪声分析——电阻热噪声电压频谱密度公式](https://mythidea.oss-cn-beijing.aliyuncs.com/%E8%BF%90%E6%94%BE%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%88%86%E6%9E%90%E2%80%94%E2%80%94%E7%94%B5%E9%98%BB%E7%83%AD%E5%99%AA%E5%A3%B0%E7%94%B5%E5%8E%8B%E9%A2%91%E8%B0%B1%E5%AF%86%E5%BA%A6%E5%85%AC%E5%BC%8F.png) 热噪声在所有频谱中能量相同,为宽带噪声。 由于噪声频谱密度单位为/√Hz,所以计算有效噪声时,需要先平方,然后对频率求积分,最后再开方得到噪声的电压或电流的有效值。 ### 1/f噪声 1/f 噪声来源于半导体的表面缺陷,声功率与器件的偏置电流成正比,并且与频率成反比,这一点与热噪声不同。即使频率非常低,该反比特性也成立,然而,当频率高于数kHz时,关系曲线几乎是平坦的。1/f 噪声也称为粉红噪声,因为其权重在频谱的低端相对较高。 1/f 噪声主要取决于器件几何形状、器件类型和半导体材料,因此,要创建其数学模型极其困难,通常使用各种情况的经验测试来表征和预测1/f噪声[^7]。 运放本身的噪声在低频区域为1/f噪声(又称“闪烁噪声”或“粉红噪声”),其频谱密度以1/f的速率下降。如下图所示。 运放噪声分析——运放1f噪声 1/f噪声的噪声频谱密度为: 运放噪声分析——运放1f噪声公式 则1/f噪声的有效值为: 运放噪声分析——运放1f噪声有效值公式 k为fc处的噪声值,k’为fl处噪声值。 *上式表明,噪声频谱密度或有效值,其常系数为某频率处的值与该频率的开方,变量为1/f的开方* 那么,取f=1Hz处的噪声值k‘’,则: 运放噪声分析——运放1f噪声简单 可见使用1Hz处的噪声值计算更简单。 ### 白噪声 运放的1/f噪声后面的区域为平坦区域,称为“白噪声”,其值与电阻热噪声类似为在一定频率范围内为常数。其噪声频率密度和有效值分别为: 运放噪声分析——运放白噪声有效值公式 1/f噪声和白噪声如下图所示。*截止频率可以近似为1/f曲线在fl处的切线与通带噪声的延长线的交点。* 运放噪声分析——运放噪声图 由于测量时实际中存在滤波效应,则实际的BW需要乘以系数。这里,只需记住一阶滤波器系数为1.57(Π/2),二阶为1.22。即最终的通带噪声有效值为: 运放噪声分析——运放通带噪声 由于fh的值会趋于很大,往往需要根据增益单宽积来计算系统闭环增益带宽,而该带宽才是实际使用时的带宽BW=GBW/Acl=(fcl-0)=fcl,此时fh=fcl(fcl为闭环增益为0dB时的频率)。 比较1/f噪声和白噪声,使用η表示1/f噪声与白噪声的比: 运放噪声分析——噪声比 假如a=10,即fc=10fl(比如fl=1Hz,fc=10Hz),b=10,则: η=0.4,其站总噪声的0.4/1.4=28%。假设通带噪声为en,则1/f噪声为0.4en,则有1/f噪声时的总噪声为1.08en,1/f噪声对通带噪声贡献了8%的增幅,可见一般情况下1/f噪声可以忽略,其对于通带噪声的影响很小。 ### 运放噪声推导 使用《MT-049_cn》[^5]说明噪声的计算。 运放噪声分析——单极点运放噪声模型 上图对于同向和反向,噪声模型都是一样的,噪声增益都是一样。 **Vn为输入电压噪声,IN+为同向端电流噪声**(***不是失调电压和偏置电流***)。前者直接造成un有误差,后者噪声up有误差。 *注意:输入电压噪声和输入电流噪声均有1/f噪声区域和BW(白噪声或通带)区域,两者的RMS为1/f噪声和BW噪声的平方和的开方。* 输入电压噪声和输入电流噪声来源于整个闭环带宽内的噪声,分为1/f噪声区域和通带噪声区域。 根据分析,可知1/f噪声贡献率较低,可以忽略,故可以只计算通带内的噪声。 反馈环路上的电阻热噪声,单独拿出来分析,将VNR3、IN±、VN都去掉。可得如下电路。 运放噪声分析——运放热噪声模型 运放为理想运放,“虚短,虚断”。un=up=VA=0V,In=Ip=0A。则 运放噪声分析——运放电阻噪声推导 而理想情况下,输出Vout应该为0,所以由R1和R2产生得输出误差就是上式中得Vout。由于V1和V2为热噪声电压为独立信号,故Vout的幅值平方为:(这里可以在A或B端加任意输入信号Vin,然后计算理想无噪声情况下的输入与输出关系,计算有噪声信号输入与输出关系,两者Vin的差值为噪声产生的在Vin端的误差信号,也能得到最终结果) 运放噪声分析——运放电阻噪声推导2 由于噪声增益为1+R2/R1,可以推导出RTO和RTI: 运放噪声分析——运放电阻噪声推导3 可见,热噪声可以等效为反馈电阻热噪声的“并联”,或者说等效为反馈电阻并联结果后的电阻热噪声。 接下来,分析**反相端电流噪声IN-**产生的误差。同样要去掉IN+、VN、R1和R2上的热噪声。如下图所示。 运放噪声分析——运放反向失调电流噪声模型 运放为理想运放,“虚短,虚断”。un=up=VA=0V,In=Ip=0A。IN-相当于外加的电流源,则 运放噪声分析——运放电流噪声推导1 由于噪声增益为1+R2/R1,可以推导出RTO和RTI: 运放噪声分析——运放电流噪声推导2 可见,反相端电流噪声的等效电阻为反馈电阻的并联。 由于输入电压噪声、输入电流噪声、热噪声都可以使用噪声密度(/√Hz单位)衡量,故可以使用同一个噪声带宽BW。 至此,运放的通带输入噪声电压(RTI)为: 运放噪声分析——运放总噪声推导 *Note:根据上文,已经忽略了1/f噪声。* 计算输入噪声峰峰值,乘以系数6.6或6即可。 对于使用了补偿电容的运放,噪声分析可参考《MT-050_cn》[^6]。 另外,噪声与温度的平方根成正比,而与供电电流的平方根成反比。这也说明了低噪声放大器的静态电流高。 ## 仿真分析 首先引用TI现有的例子进行分析。如下图所示。 ![运放噪声分析——OPA627噪声仿真](https://mythidea.oss-cn-beijing.aliyuncs.com/%E8%BF%90%E6%94%BE%E5%99%AA%E5%A3%B0%E5%88%86%E6%9E%90%E2%80%94%E2%80%94OPA627%E5%99%AA%E5%A3%B0%E4%BB%BF%E7%9C%9F.png) OPA627的模型已经建立好,使用外部噪声源模拟运放的电压噪声和电流噪声,1/f和通带噪声都与Datasheet保持一致。仿真结果可知高频区域输出噪声为恒定值,约为320.08uV。 下面计算输出噪声。 已知,通带区域电压噪声为5nV/√Hz,,电流噪声为2.5fA/√Hz,等效电阻约为1kΩ,噪声增益为101,等效带宽BW为16MHz/101*1.57=248kHz,则总噪声为: RTI=√248k\*√(5n)^2+(2.5f\*1k)^2+4K(273.15+25)\*1k=3.208uV(K为玻尔兹曼常数,1.38e-23 J/°K)。 则RTO=RTI\*101=324uV。 计算结果与仿真结果相差不大。 ### Reference [^1]: [OP AMP PERFORMANCE ANALYSIS](http://www.ti.com/lit/an/sboa054/sboa054.pdf) [^2]: [运算放大器——参数说明](https://www.mythbird.com/operational-amplifier---parameter-description.html) [^3]: [约翰逊-奈奎斯特噪声](https://www.beichengjiu.com/physics/170740.html) [^4]: [MT-048](https://www.analog.com/media/en/training-seminars/tutorials/MT-048.pdf) [^5]: [MT-049_CN](https://www.analog.com/media/cn/training-seminars/tutorials/MT-049_cn.pdf) [^6]: [MT-050_CN](https://www.analog.com/media/cn/training-seminars/tutorials/MT-050_cn.pdf) [^7]: [五种常见的电源噪声](https://rohm.eefocus.com/article/id-1524) [^8]: [运算放大器的关键指标详解二(噪声)](https://blog.csdn.net/sinat_15677011/article/details/106268473)